1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Estabilidad térmica y transporte
de masa en nanopelículas
Alberto Herrera-Gomez
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
CINVESTAV-Unidad Querétaro
Contenido
• Procesamiento y caracterización de nanopelículas
– Problemas de interés
• Caracterización de estructuras
• Capas interfaz
• Difusión
– Técnica de caracterización: ARXPS
• Por qué ARXPS
• Principios de ARXPS
– Desarrollo de metrología
– Procesamiento de nanopelículas
• ALD
• Sputtering
• La Nanociencia y la Nanotecnologia en el Cinvestav-Querétaro
– Recursos Humanos
– Infraestructura y Equipo
– Posgrado
• Colaboraciones
• Necesidades
Contenido
• Procesamiento y caracterización de nanopelículas
– Problemas de interés
• Caracterización de estructuras
• Capas interfaz
• Difusión
– Técnica de caracterización: ARXPS
• Por qué ARXPS
• Principios de ARXPS
– Desarrollo de metrología
– Procesamiento de nanopelículas
• ALD
• Sputtering
• La Nanociencia y la Nanotecnologia en el Cinvestav-Querétaro
– Recursos Humanos
– Infraestructura y Equipo
– Posgrado
• Colaboraciones
• Necesidades
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Problemas de interés
(SEMATECH)
0.3 ML Ga+3
Caracterización de
nanopelículas conformes
TiNO
24 Å
Al2O3
29 Å
As-As
• Capas que la constituyen
• Espesores
• Composiciones
4Å
In0.65Ga0.35As
O. Ceballos-Sanchez, A. Sanchez-Martinez, Milton O. Vasquez-Lepe, P. Lysaght, N. Goel, J. Huang, P. Kirsch, A.
Rockett, T. Duong, R. Arroyave, and A. Herrera-Gomez. “Mass transport and thermal stability of TiN/Al2O3 and
TiN/HfO2 nanofilms on InGaAs.” Submitted to PRL (2011).
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
4
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Problemas de interés
(HITACHI)
C (H-sp3)
5Å
C (sp2)
23 Å
Si C
10 Å
Caracterización de
nanopelículas conformes
• Capas que la constituyen
• Espesores
• Composiciones
Si substrate
Rap. Comm., Surface and Interface Analysis. 39, p.904 (2007).
Analytical Sci., 26, p. 267-272 (2010).
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
5
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Problemas de interés
Caracterización de capas interfaz
HfO2
Si substrate
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
6
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Problemas de interés
Caracterización de capas interfaz
Composition?
Thicknesses?
HfO2
Interface layer
Si substrate
Abrupt-Interface
or
Interface-Layer?
P.G. Mani-Gonzalez, M.O.
Vazquez-Lepe, and A. HerreraGomez. “Atomic intermixing in
ALD-grown hafnia on Si and
SiO2/Si.” To be submitted to
JAP (2011).
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
7
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Problemas de interés
Difusión
TaN
1 ML
La2O3
8Å
Hf O2
15 Å
Si O1.7 N0.3
RTA
(1000°C 10s)
Si substrate
(TEXAS INSTRUMENTS)
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
8
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Problemas de interés
Difusión
TaN
1 ML
TaN
La2O3
8Å
Hf O2
15 Å
Si O1.7 N0.3
Si substrate
RTA
(1000°C 10s)
1 ML
La2O3
8Å
Hf O2
15 Å
Si O1.7 N0.3
Si substrate
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
9
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Problemas de interés
Difusión
1 ML
TaN
TaN
La2O3
La
La
La
La
Hf O2
La
La
8Å
Hf O2
15 Å
Si O1.7 N0.3
Si substrate
RTA
(1000°C 10s)
?Å
?Å
Si O? N?
Si substrate
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
10
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Problemas de interés
Difusión
TaN
1 ML
8Å
TaN
La2O3
Hf O2
RTA
(1000°C 10s)
Hf O2
?Å
La
La
15 Å
Si O1.7 N0.3
La
La
Si O? N?
?Å
La
Si substrate
La
Si substrate
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
11
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Problemas de interés
Difusión
TaN
1 ML
8Å
TaN
La2O3
Hf O2
RTA
(1000°C 10s)
?Å
Hf O2
La2O3
15 Å
Si O1.7 N0.3
Si substrate
?Å
Si O? N?
Si substrate
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
12
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Problemas de interés
Difusión
TaN
1 ML
8Å
TaN
La2O3
Hf O2
RTA
(1000°C 10s)
?Å
Hf O2
La2O3
15 Å
Si O1.7 N0.3
Si substrate
?Å
J. Appl. Phys. 106,
p. 053506 (2009).
Si O? N?
Si substrate
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
13
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Problemas de interés
Difusión
(SEMATECH)
cap
N
10 Å
HfO2
N
N
N
10 Å
N
RTA
(1000°C 10s)
N
N
N
N
SiO2
N
N
?
Si substrate
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
14
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Problemas de interés
Difusión
(SEMATECH)
cap
N
RTA
(1000°C 10s)
N
10 Å
HfON
N
N
N
10 Å
cap
N
N
N
N
SiON
HfO2
N
N
N
Si substrate
N
N
N
N
N
SiON
N
N
N
N
Si substrate
J. Appl. Phys. 104, p. 103520 (2008).
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
15
Contenido
• Procesamiento y caracterización de nanopelículas
– Problemas de interés
• Caracterización de estructuras
• Capas interfaz
• Difusión
– Técnica de caracterización: ARXPS
• Por qué ARXPS
• Principios de ARXPS
– Desarrollo de metrología
– Procesamiento de nanopelículas
• ALD
• Sputtering
• La Nanociencia y la Nanotecnologia en el Cinvestav-Querétaro
– Recursos Humanos
– Infraestructura y Equipo
– Posgrado
• Colaboraciones
• Necesidades
Previous Studies of Thermal Stability
SiO2
Fig. 9: Backside SIMS showing no La
penetration into the Si substrate after
high T (1000°C) process
1IBM
VLSI 2006, V. Narayanan et. al.
Both La2O3
and La-Silicate
were used in
experiments
Poly Si
Poly Si
TiN
La cap
TaN
La2O3
HfO2
Hf-Silicate
Si substrate
Si substrate
IBM
Sample
Our
Sample
17
Diffusion of Ta, La, or Hf into Si bulk
Backside Secondary Ion Mass Spectroscopy: All Samples
No diffusion of La, Hf, nor Ta, from any of the samples into the substrate.
Poly Si
3
)]
TaN
La2O3
Hf-based
Si-bulk
25
Anneal recipe: 1000ºC
in N2 for 5 seconds.
1aSi
2aSi
3aSi
4aSi
Magnetic Mass Spec.
Uses O2+
HV = 9kV
Raster size = 180 um
Lens = 150 um
20
5
1Si
4Si
Log [Silicon counts]
Log [Metal Concentration (atoms/cm
Si substrate
Poly Si
0
15
0
50
100
distance in nm
150
200
1aLa
1aHf
1aTa
2aLa
2aHf
2aTa
3aLa
3aHf
3aTa
4aLa
4aHf
4aTa
1La
1Hf
1Ta
4La
4Hf
4Ta
18
Data collected at:
North Carolina State – F. Stevie
Sample 1
400K
Vertical magnification
x18
300K
Surface
O
O
200K
100K
- Unannealed
- Annealed
N
1ch
165.00KeV
O
80%
60%
Ta
La
Hf
isoSi
O
N
40%
Ta
Si
128ch
234.59KeV
Composition
100%
Hf
La
256ch
304.73KeV
384ch
512ch
373.86KeV 445.00KeV
20%
24
48
72
96
120
Depth [Å]
19
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Por qué ARXPS
4800
L a3 d
M S4+R TA
4000
3200
A rea
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Técnica de Caracterización: ARXPS
2400
E xperim ental data
A t the H fO 2 /S iO 2 interface
1600
A t the surface
T hroughout H fO 2 lay er
800
T hroughout S iO 2 lay er
0
30
40
50
60
70
T ak e-O ff A n g le
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
20
Contenido
• Procesamiento y caracterización de nanopelículas
– Problemas de interés
• Caracterización de estructuras
• Capas interfaz
• Difusión
– Técnica de caracterización: ARXPS
• Por qué ARXPS
• Principios de ARXPS
– Desarrollo de metrología
– Procesamiento de nanopelículas
• ALD
• Sputtering
• La Nanociencia y la Nanotecnologia en el Cinvestav-Querétaro
– Recursos Humanos
– Infraestructura y Equipo
– Posgrado
• Colaboraciones
• Necesidades
Photoemission from core levels
22
Photoemission from core levels
K  h  E B
K
Vacuum Level
VB
hv
EB
3s
2p1/2, 2p3/2
2s
23
1s
Photoemission from core levels
K  h  E B
K
Vacuum Level
VB
hv
EB
3s
2p1/2, 2p3/2
2s
24
1s
Photoemission from core levels
Survey spectrum for C films
C 1s
K  h  E B
C Auger
Si 2p
K
Vacuum Level
VB
hv
EB
3s
2p1/2, 2p3/2
2s
25
1s
Photoemission from core levels
Survey spectrum for C films
C 1s
K  h  E B
C Auger
Si 2p
K
Vacuum Level
VB
hv
EB
3s
Survey spectrum for
HfSiNO films
O 1s
Hf 4f
2p1/2, 2p3/2
O Auger
2s
N 1s
26
1s
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Técnica de Caracterización:
ARXPS
ARXPS
experiment
ARXPS
experiment
Electron Energy
Analyzer
Si-Bulk
Si 2p
X-Ray Source
5.9
4.9
1nm SiO2
3.9
Si(001)
Sample
2.9
1.9
25 to 75°
SiO2
Intensity (c.p.s.)
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Principios de ARXPS
0.9
-0.1
109
107
105
103
101
99
97
Binding energy (eV)
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
95
27
Peak Area
Peak Area
Take-Off Angle
lower dependence on angle
Take-Off Angle
atom closer to the surface
atom buried deep
28
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
2000
Principios de ARXPS
H f 4f
75 o
Intensity (counts/sec)
1500
Si 2p
65 o
55 o
45 o
1000
35 o
25 o
500
0
22
20
18
16
B in d in g E n erg y (eV )
O 1s
4000
75 o
65 o
55 o
Intensity (counts/sec)
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Técnica de Caracterización: ARXPS
45 o
3000
35 o
25 o
2000
532.5eV
1000
531.3eV
0
536
534
532
530
528
B inding E nergy (eV )
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
29
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Principios de ARXPS
2200
3000
2000
1800
2500
H f 4 f in S i-O -H f bo nd
1600
B ulk S i 2 p
2000
1400
1200
1500
1000
800
1000
H f 4 f in H f-O bo nd
A d v e ntio us C a rbo n
600
P eak A rea (cps eV /1000)
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Técnica de Caracterización: ARXPS
400
S i 2 p in S i-O bo nd
500
200
0
0
20
8000
30
40
50
60
70
80
T a ke -o ff a ngle
O xyge n in S i-O bo nd
7000
6000
Dependencia angular de la intensidad
de los picos XPS
5000
4000
3000
O xyge n in H f-O bo nd
2000
1000
0
20
30
40
50
60
70
80
T a ke -o ff a ngle
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
30
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Técnica de Caracterización: ARXPS
Principios de ARXPS
Spurious carbon(0.5ML)
Hf O1.9
Si O1.7 N0.5
8.4 Å
15.3 Å
Si substrate
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
31
32
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Técnica de Caracterización: ARXPS
2p3/2
Si 2p
2p1/2
• Espectrómetro hemisférico
de siete canales
• Fuente monocromática
Al mismo tiempo
• Alta estadística
• Alta resolución
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
33
Contenido
• Procesamiento y caracterización de nanopelículas
– Problemas de interés
• Caracterización de estructuras
• Capas interfaz
• Difusión
– Técnica de caracterización: ARXPS
• Por qué ARXPS
• Principios de ARXPS
– Desarrollo de metrología
– Procesamiento de nanopelículas
• ALD
• Sputtering
• La Nanociencia y la Nanotecnologia en el Cinvestav-Querétaro
– Recursos Humanos
– Infraestructura y Equipo
– Posgrado
• Colaboraciones
• Necesidades
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Técnica de Caracterización: ARXPS
Desarrollo de metrología
AAligner®: Software de adquisición de datos propietario
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
35
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Técnica de Caracterización: ARXPS
Desarrollo de metrología
XPSGeometry®: Software de análisis propietario
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
36
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Técnica de Caracterización: ARXPS
Desarrollo de metrología
AAnalyzer®: Software de análisis propietario
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
37
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Técnica de Caracterización: ARXPS
Desarrollo de metrología
Actualización y corrección de estándares de la ASTM e ISO
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
38
Contenido
• Procesamiento y caracterización de nanopelículas
– Problemas de interés
• Caracterización de estructuras
• Capas interfaz
• Difusión
– Técnica de caracterización: ARXPS
• Por qué ARXPS
• Principios de ARXPS
– Desarrollo de metrología
– Procesamiento de nanopelículas
• ALD
• Sputtering
• La Nanociencia y la Nanotecnologia en el Cinvestav-Querétaro
– Recursos Humanos
– Infraestructura y Equipo
– Posgrado
• Colaboraciones
• Necesidades
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Atomic Layer Deposition
HfO2
Si
1 .6
1 .4
E spesor (nm )
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Procesamiento de Nanopelículas
1 .2
1 .0
0 .8
0 .6
0 .4
0 .2
0 .0
0
5
10
15
20
N ú m e ro d e C ic lo s A L D
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
40
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Procesamiento y caracterización de nanopelículas
Procesamiento de Nanopelículas
Sputtering (necesidad)
• Presión base en el rango de 10-8 Torr (con precámara)
• Necesario para depósito de TiN o TaN sin óxidos
• TaN y TiN usados como el metal en MOS y como capa protectora
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
41
Contenido
• Procesamiento y caracterización de nanopelículas
– Problemas de interés
• Caracterización de estructuras
• Capas interfaz
• Difusión
– Técnica de caracterización: ARXPS
• Por qué ARXPS
• Principios de ARXPS
– Desarrollo de metrología
– Procesamiento de nanopelículas
• ALD
• Sputtering
• La Nanociencia y la Nanotecnologia en el Cinvestav-Querétaro
– Recursos Humanos
– Infraestructura y Equipo
– Posgrado
• Colaboraciones
• Necesidades
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Nanociencia y la Nanotecnologia en Cinvestav-Qro
Recursos Humanos y Líneas de Investigación
CINVESTAV-Unidad Querétaro: 21 prof., 7 nivel III SNI, 13 nivel II, y 1-I,







Francisco Espinoza
•
•
•
•
Nanopartículas por Aleado Mecánico (molino de bolas)
Películas multicapas (superredes) crecidas por sputtering (hard coatings)
Microsonda (Electron Probe for Micro Analysis)
AFM (propiedades mecánicas y ferroeléctricas)
Gabriel Luna
•
•
Bionanocompositos
Nanopartículas de plata y oro estabilizados en matrices de biopolímeros
Alejandro Manzano
•
Nanotubos en matrices poliméricas
Juan Muñoz
•
Nanoindentación
Francisco Pérez
•
•
Nanotubos de carbono por CVD sin dopar y dopados
Membranas poliméricas dopadas con nanotubos de carbono para celdas de combustible de
alta temperatura
Rafael Ramírez
•
•
•
Nanopelículas para electrónica flexible
Nanoestructuras en zeolitas
Catálisis
Aldo Romero
•
Modelado de propiedades físicas y químicas de nanoestructuras (métodos semiempíricos,
dinámica molecular, DFT)
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
43
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Nanociencia y la Nanotecnologia en Cinvestav-Qro
Infraestructura y Equipo



Laboratorios
Equipo de caracterización
•
•
•
•
•
•
•
Microsonda JXA-8530F HyperProbe EPMA
AFM-SPM Nanoscope IV-Dimension 3100
Nanoindentador (Ubi1 Hysitron, Ibis Fischer-Cripps)
XRD (Rigaku Utilma IV, Rigaku D/Max 2000)
XPS (Thermo-Fisher-Intercovamex)
Zetasizer de Malvern (partículas 0.8 nm a 6 micras)
Nanosizer de Colloidal Dynamics (partículas 20 nm a 10 )
Equipo de procesamiento
•
•
•
•
•
Molino de bolas (Spex 8000, Pulverisette 6 Fritsch, …)
ALD
Magnetron Sputtering (DC, pulsed DC, RF)
Sol-Gel
CVD (National Instruments)
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
44
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Nanociencia y la Nanotecnologia en Cinvestav-Qro
Posgrados

Maestría en Ciencias, Especialidad en
Materiales
•
•

actuales 40
graduados 70
Doctorado en Ciencias, Especialidad en
Materiales
•
•
actuales 60
graduados 56
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
45
Contenido
• Procesamiento y caracterización de nanopelículas
– Problemas de interés
• Caracterización de estructuras
• Capas interfaz
• Difusión
– Técnica de caracterización: ARXPS
• Por qué ARXPS
• Principios de ARXPS
– Desarrollo de metrología
– Procesamiento de nanopelículas
• ALD
• Sputtering
• La Nanociencia y la Nanotecnologia en el Cinvestav-Querétaro
– Recursos Humanos
– Infraestructura y Equipo
– Posgrado
• Colaboraciones
• Necesidades
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Colaboraciones Actuales


Colaboraciones





SEMATECH (Patrick Lysaght & Paul Kirsch)
•
A robust metrology approach based on ARXPS for the
characterization of nanofilms
HITACHI-GST (Eric Sun & Eric Flint)
•
The Structure of Carbon Films from High Resolution ARXPS
Applied Materials (Giusepinna Conti & Yuri Uritsky)
•
Issues affecting the performance of the Theta-Probe
Texas A&M University (Raymundo Arroyave, Rusty Harris)
•
Indium diffusion through dielectric nanofilms
INAOE (Joel Molina)
•
Correlación entre la estructura de nanopelículas de óxido de hafnio
con sus propiedades funcionales
CIMAV (Servando Aguirre & Francisco Espinosa)
•
Método discreto y contínuo para la caracterización del espesor de
nanopelículas
IPN (Alicia Rodríguez)
•
Modificación al background tipo Shirley en el análisis de datos de
XPS
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
47
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Colaboraciones Deseadas


All-electron first principle calculation
EELS
Colaboraciones
C (H-sp3)
C (sp2)
Si C
5Å
23 Å
10 Å
Si substrate
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
48
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Colaboraciones Deseadas
Exportar la metodología ARXPS propia (Grenoble)
Colaboraciones

Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
49
Contenido
• Procesamiento y caracterización de nanopelículas
– Problemas de interés
• Caracterización de estructuras
• Capas interfaz
• Difusión
– Técnica de caracterización: ARXPS
• Por qué ARXPS
• Principios de ARXPS
– Desarrollo de metrología
– Procesamiento de nanopelículas
• ALD
• Sputtering
• La Nanociencia y la Nanotecnologia en el Cinvestav-Querétaro
– Recursos Humanos
– Infraestructura y Equipo
– Posgrado
• Colaboraciones
• Necesidades
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Necesidades de equipo
Necesidades
Sputtering (necesidad)
• Presión base en el rango de 10-8 Torr (con precámara)
• Necesario para depósito de TiN o TaN sin óxidos
• TaN y TiN usados como el metal en MOS y como capa protectora
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
51
1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Necesidades de fondos de operación
Necesidades
Financiamiento para viaje de estudiantes a Granoble
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1ER EVENTO DE LA RED TEMÁTICA DE NANOCIENCIAS Y NANOTECNOLOGÍA
Laboratorio de Procesamiento y Caracterización de Nanopelículas
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http://qro.cinvestav.mx/~aherrera/web/lab.htm
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