Cómo leer las
especificaciones
de memoria RAM
POR:
ERNESTO Y. SOTO
LUIS D ROCHE
Introducción

Las especificaciones de la memorias RAM se clasifican de la siguiente
forma:


Nombramiento de Generacion (DDRx)

DDR1

DDR2

DDR3
Velocidad (DRRx-yyyy)


Generación tecnológica (PCx) y velocidad de transferencia(PCx-yyyy)


DDR3-1333MHz
PC3-6400 (6,400 Mb/s)
Sincronizacion (Latencia)

7-7-7-18
Ejemplo de Clasificación
Formula para determiner
velocidad de transferencia

Maximum Theoretical Transfer Rate = Clock x
Number of bits / 8
 Nota:
Los dims transfieren 64 bits lo que
“number of bits” sería 64 / 8 = 8.
 Maximum
8.
Theoretical Transfer Rate = clock x
Latencias

CL: Cas Latency: El tiempo que pasa entre un comando después
de haber sido enviado a la memoria y cuando begings para
responder ella. Es el tiempo que pasa entre el procesador pidiendo
algunos de los datos de la memoria y luego devolverlo.

tRCD: Demora de RAS a CAS : El tiempo que pasa entre la
activación de la línea (RAS) y la columna (CAS) donde los datos se
almacenan en la matriz.

tRP: Precarga RAS: el tiempo que pasa entre la desactivación del
acceso a una línea de datos y principios del acceso a otra línea de
datos
Latencias (Cont.)

tRAS: Activo a la demora de precarga. Duración de la memoria
tiene que esperar hasta el siguiente acceso a la memoria se puede
iniciar

CMD: Command Rate. El tiempo que pasa entre el chip de
memoria después de haber sido activado y cuando el primer
comando puede ser enviado a la memoria. A veces, este valor no
se ha anunciado. Por lo general es T1 (1 ciclo de reloj) o T2 (2 ciclos
de reloj).
Cas Latency

Nos dice cuántos ciclos de reloj de la memoria de retardo para
devolver los datos solicitados.
Demora de RAS a CAS (tRCD)

En la intersección de cada fila y columna tenemos un pequeño
condensador que se encarga de almacenar los datos. El proceso
de acceso a los datos del almacén se consigue por primera
activación de la fila a continuación, la columna donde está
ubicado. Dicha activación se realiza mediante dos señales de
control llamados de RAS (Row Dirección Strobe) y CAS (Columna
Dirección Strobe).

Al igual que con latencia CAS, RAS a CAS Delay funciona con el
reloj de memoria real (que es la mitad del reloj de la etiqueta).
Cuanto menor sea el parámetro, más rápida será la memoria será,
ya que se iniciará la lectura o escritura de datos anterior.
Precarga RAS (tRP)

Después que los datos se recopilan de la
memoria, un comando llamado precarga debe
ser emitido, cerrando la fila de la memoria que
se estaba utilizando y que permite una nueva
fila para ser activado. Tiempo de precarga de
RAS (PRT) es el tiempo transcurrido entre cuando
el comando de precarga y el siguiente
comando activo se pueden emitir.
Otros Parametros

Vamos a tomar una mejor visión de los otros dos parámetros, activas para precarga
Delay (tRAS) y Command Rate(CMD).

Activo para precarga Delay (tRAS): Después y se emite el comando activo, otro
comando de precarga no se puede emitir hasta que haya transcurrido tRAS. Por lo
tanto, este parámetro limita cuando la memoria puede comenzar a leer (o escribir)
una fila diferente.

Cambio de comandos (CMD): Es el tiempo empleado por el chip de memoria se
active (a través de su CS - Chip Select - pin) y cuando ningún mandato puede
emitirse a la memoria. Este parámetro lleva la letra "T" de la pizca él. Los valores
posibles son 1T o 2T, es decir, un ciclo de reloj o dos ciclos de reloj, respectivamente.
Referencia

http://www.hardwaresecrets.com/article/Understanding-RAMTimings/26
FIN
Descargar

File