EQUIPO # 4
INTEGRANTES:
Víctor Ismael Bautista Sánchez
Albino Ramírez Sánchez
Adrian muñoz Martínez
Adolfo Montenegro
Emmanuel Mancilla Sánchez
Juan Ruiz García
Eduardo Gerardo Galaviz Flores
Materia: Física 4.
Docente: Ing. Christian Aldaco González.
Horario: 3:00 a 4:00 pm
Aula: R-9
INTRODUCCIÓN
1.-Fenómenos de ruptura
2.- Ruptura por multiplicación o
avalancha.
3.- Ruptura zener.
POLARIZACIÓN EN INVERSA

Si polarizamos inversamente una
unión p-n el efecto neto será un
crecimiento del área de
agotamiento lo que detendrá los
portadores mayoritarios, haciendo
a esta corriente cero

Sin embargo, los portadores
minoritarios tienden a ir a la región
de agotamiento creando así una
pequeña corriente inversa .
p
n
TRASPORTE EN CAMPO MUY INTENSO:
FENÓMENOS DE RUPTURA.

Cuando el campo eléctrico llega a ser extremadamente intenso
(≥ 100 Kv/cm^-1), el semiconductor sufre una “ruptura” en la cual la
corriente exhibe un comportamiento “desbocado” o “galopante”.

La ruptura ocurre debido a la multiplicación de portadores que surgen de
las dos fuentes que se discuten a continuación.
CONTINUACIÓN……TRASPORTE EN CAMPO MUY
INTENSO:
FENÓMENOS DE RUPTURA.

Por multiplicación de
portadores queremos decir
que el número de electrones y
huecos que pueden participar
en el flujo de corriente se
incrementa.

Por supuesto el número total
de electrones se conserva
siempre.
FENOMENO DE RUPTURA POR
AVALANCHA
En conexión inversa o directa de los diodos
ocurre el efecto por avalancha o también
llamado por multiplicación.
 Los diodos admiten unos valores máximos en las
tensiones, existe un límite para la tensión
máxima en inversa con que se puede polarizar un
diodo sin correr el riesgo de destruirlo.

VOLARGE PRIMARIO
CORRIENTE I
-5V
-10nA
-10V
-20nA
-20V
-30nA
-50V
-100mA
Cuando la tensión aumenta el campo electrico en el tambien lo
hace provocando que los electrones de la banda de valencia
pasen a la de conduccion. Si estos producen colisiones a tal
grado que otros electrones pasen al banda de conduccion se
obtine una deacarga por avalancha.
DENTRO DEL DIODO OURRE LO
SIGUIENTE
Justo en el límite antes de llegar a Ruptura, los
electrones libres se van acelerando estos
electrones pueden chocar donde se hace el enlace
covalente.
 Si el electrón lleva tanta velocidad que choca y le
cedé energia cinetica a tal grado que puede
hacerlo un electrón libre, y ahora tendremos dos
electrones libres.

Estos dos electrones vuelven a acelerar gracias al campo
electrico adquiriendo la misma velocidad con la que fue el choque
y así pueden volver a chocar con otro electrón de enlace
covalente, y así se sucesivamente se va repitiendo el proceso.
RUPTURA ZENER

La Ruptura Zener ocurre cuando los electrones de valencia son
liberados de sus enlaces debido al gran campo eléctrico sin
alcanzar un nivel al que se produzcan colisiones de gran energía.

El diodo Zener a diferencia del diodo convencional tiene un grado de
dopacion mayor lo que origina que la zona de deplexion sea muy
estrecha.

El efecto túnel permite a los electrones filtrarse en las bandas y a
medida que el campo eléctrico se incrementa la energía prohibida
disminuye hasta poner en corto al diodo.
DIODO ZENER

El diodo Zener es un dispositivo semiconductor que nos permite
mantener un valor máximo de voltaje en sus terminales que no
se superara siempre y cuando sus características no los
permitan.
Bibliografía
Principios de Electrónica: Malvino
Electrónica: Harry Mileaf
Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos: Boylestad
Nashelsky
Dispositivos Semiconductores: Jasprit Singh
Consultas
http://www.4shared.com/document/6rZb8rnD/Diodo_Zener_
y_Fenomeno_de_rupt.html
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Trasporte en campo muy intenso: fenómenos de ruptura.