UNIVERSIDAD ALONSO DE OJEDA
FACULTAD DE INGENIERÍA
ESCUELA DE COMPUTACIÓN
ASIGNATURA: ELECTRÓNICA
Unidad 2:
Circuitos Electrónicos con Transistores
PROFESOR:
ING. GERARDO ALBERTO LEAL, MSc
EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT):
Numero de Electrones: E > C y C >> B
EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT):
Estructura Interna y Simbología
C
Diodo Colector Base
(Salida)
B
Diodo Emisor Base
(Entrada)
E
Aspecto
EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT):
Corrientes en los Diodos de Entrada y Salida
Análisis de Corrientes del BJT
IC
e
IB
IC
IB
IE
e
e
IE
Según LKC: IE = IB + IC
IB << IC
IE es aproximadamente igual a IC
β = Ganancia de Corriente
Relación de corriente de salida
sobre la corriente de entrada.
Diodo BE (Pol Directa)
Diodo BC (Pol Inversa)
La mayor cantidad de electrones
se mueven del Emisor al Colector y
una pequeña cantidad salen por la
Base.
β = IC / IB
EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT):
Circuito básico de polarización Emisor Común BJT NPN
IC
RC
IB
+
RB
VBB
+
–
+
VBE –
Parámetros Etapa de Entrada:
VBB = Voltaje de la Fuente de Base
RB = Resistencia de polarización por la Base
IB = Corriente de Base
VBE = Voltaje Diodo Base-Emisor (0,6 V) Silicio
VCE
+
–
VCC
–
IE
Parámetros Etapa de Salida:
VCC = Voltaje de la Fuente de Colector
RC = Resistencia limitadora de Colector
IC = Corriente de Colector
VCE = Voltaje Colector-Emisor
IE = Corriente de Emisor
EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT):
Curva característica del BJT y Zonas de Operación
Zona Activa
Recta de Carga
Zona Saturación
Zona Corte
Punto de Operación (Q)
EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT):
Funciones básicas del BJT en Emisor Común
Amplificación: BJT Trabajando en la Zona Activa
Conmutación: BJT Trabajando en las Zonas de Corte y Saturación
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